9.15秒仅漏一个电子，有望破解“算力能耗”“内存墙”难题

　　上海校企联合团队近日在二维半导体领域取得重大突破，成功研发出迄今泄漏电流蕞低的二维半导体晶体管，并基于此打造出一款新型存储芯片。

　　芯片的核心元件晶体管，好比控制电流的“智能水龙头”。传统硅基芯片发展至今，晶体管尺寸逼近物理极限，“水龙头关不紧”的漏电问题日益突出，制约着人工智能等领域的算力提升。作为芯片“记忆核心”的DRAM（动态随机存取）存储器，需频繁充电刷新以维持数据，是能耗主要来源。

　　针对这一行业痛点，复旦大学联合上海原集微科技、长鑫存储等单位组建攻关团队，实现了创纪录的超低泄漏电流，相当于9.15秒仅泄漏一个电子，在此基础上打造的新型DRAM存储芯片，在零保持电压下实现了超过8500秒的超长数据保持时间，同时兼顾高速读写与多容量存储能力，大幅降低能耗的同时性能不打折。

　　这项技术的落地应用前景广阔。在移动设备、物联网终端等场景下，该存储芯片可显著延长续航时间，在人工智能算力中心，整体能耗也能大幅降低。更关键的是，这一独特优势可为存内计算架构提供硬件支撑，破解数据搬运效率低的“内存墙”难题。目前，该技术正加速推进与现有半导体工艺的兼容适配，为产业化落地铺路。

　　这项突破展现出上海在二维半导体领域“产学研用”协同创新的成熟生态——从高校原创技术攻关，到本土企业推动工程化转化，再到龙头企业协同验证，形成闭环创新体系。

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