近日，英诺赛科在国家知识产权局成功取得了一项重要专利“承载盘及MOCVD设备”（授权公告号CN 221895186 U），该专利的申请日期追溯至2023年12月。这一专利的取得，标志着英诺赛科在半导体技术领域取得了新的突破，特别是在晶圆外延制备方面。

　　专利摘要显示，本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种承载盘及MOCVD设备。承载盘用于制备晶圆外延。承载盘包括大盘、卫星盘、挡盖和隔热块，大盘上设置有多个能够承载晶圆的卫星盘。挡盖设置于大盘上并嵌置于多个卫星盘之间，挡盖设置有开口朝向大盘的容纳槽。隔热块填充设置于容纳槽内，隔热块的导热系数小于挡盖的导热系数。MOCVD设备包括上述的承载盘，将导热系数较小的隔热块填充于容纳槽内，减少了大盘向挡盖传导的热量，降低了挡盖的温度，从而减少了挡盖向卫星盘的边缘区域传导的热量，避免卫星盘的温度出现边缘高、中间低的现象，实现了卫星盘温度的均匀分布，提高了晶圆外延厚度的均匀性。

　　MOCVD设备作为半导体材料制备的关键设备之一，其性能的优化对于提升半导体材料的质量和效率具有重要意义。英诺赛科此次取得的专利，不仅是对自身技术实力的有力证明，更是对半导体技术领域的一大贡献。

　　作为全球功率半导体革命的领导者，英诺赛科连续两年入选胡润研究院《全球独角兽榜》，在氮化镓（GaN）领域拥有深厚的技术积累和创新实力。据公开资料显示，截至2023年12月31日，英诺赛科在全球范围内拥有约700项专利及专利申请，涵盖了芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域，这一数字不仅体现了其在半导体技术领域的强大研发能力，也为其在全球氮化镓市场中奠定了坚实的竞争基础。

　　凭借强大的技术创新实力及领先的量产能力，英诺赛科已成为氮化镓功率半导体产品的全球领导者。按氮化镓分立器件出货量统计，英诺赛科2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名头部，市占率达42.4%。

　　未来，英诺赛科将继续加大在半导体技术领域的研发投入，致力于推出更多具有创新性和实用性的技术和产品，为推动半导体产业的发展贡献更多的力量。

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